Greek English

:: υπηρεσίες
• RSS/XML Feeds
• Σύνδεσμοι
• Netcast

:: προτάσεις

:: ενημέρωση
• Forums
• Calendar
• Σαν Σήμερα
• Μαγειρική
• Καιρός

:: επικοινωνία
• Αποστολή άρθρου
• Επικοινωνία

:: στηρίξτε μας

SYNC ME @ SYNC
Προσθήκη σε:
Freestuff Bookmarks
Technorati

Βρείτε μας στο Facebook


:: feed
Όλα τα τελευταία άρθρα του Pramnos.net σε RSS
Pramnos.net RSS Feed
Τί είναι αυτό;

:: προτάσεις

:: δημοφιλή άρθρα


στο Web
στο pramnos.net
Αρχή » Αρθρογραφία

Η πρώτη μνήμη DDR2 80 νανομέτρων

Τεχνολογία » Hardware - 30/03/2006

Η Samsung Electronics Co., Ltd., ο παγκόσμιος ηγέτης στην προηγμένη τεχνολογία μνήμης, ανακοίνωσε ότι είναι ο πρώτος κατασκευαστής στο πλαίσιο της βιομηχανίας που ξεκινά τη μαζική παραγωγή DDR2 DRAM –512 Megabit (Mb)– στην κλίμακα των 80 νανομέτρων (nm).

Με την τεχνολογία επεξεργασίας των 80 νανομέτρων, η Samsung είναι σε θέση να αυξήσει την παραγωγή κατά 50 τοις εκατό συγκριτικά με την προηγούμενη διαδικασία των 90 νανομέτρων. Η οικονομία κλίμακας στο κόστος παραγωγής που δημιουργείται από την μετάβαση στην τεχνολογία των 80 νανομέτρων θα επιτρέψει στην εταιρία να ανταποκριθεί αποτελεσματικότερα στην αυξημένη ζήτηση για DDR2.

«Με τη ζήτηση για DDR2 στα υψηλότερα επίπεδα από τη στιγμή της εμφάνισης της στην αγορά το 2004, η τεχνολογία των 80 νανομέτρων μάς δίνει τη δυνατότητα να υποστηρίξουμε πιο αποτελεσματικά τη διατηρήσιμη αύξηση της ζήτησης που αναμένεται να παρατηρηθεί στην αγορά DDR2 τη φετινή χρονιά», δήλωσε ο Tom Trill, director, DRAM Marketing, Samsung Semiconductor, Inc.

Η Samsung κατάφερε να μεταβεί ομαλά από την τεχνολογία επεξεργασίας των 90-nm στην τεχνολογία 80-nm, επειδή χρησιμοποίησε πολλά από τα βασικά χαρακτηριστικά των διατάξεων των 90 νανομέτρων, και επομένως δε χρειάστηκε να πραγματοποιηθούν παρά ελάχιστες αναβαθμίσεις στις γραμμές κατασκευής.

Η κίνηση προς τη διάταξη κυκλωμάτων 80 νανομέτρων επιταχύνθηκε χάρη στη χρήση ενός recess channel array transistor (RCAT). Αυτή η τρισδιάστατη διάταξη transistor βελτιώνει σημαντικά το ρυθμό ανανέωσης (refresh rate), που αποτελεί βασικό χαρακτηριστικό για την αποθήκευση δεδομένων. Το RCAT της Samsung επίσης μειώνει την περιοχή κάλυψης σε cells (cells area coverage) επιτρέποντας κλιμακούμενη αύξηση λειτουργιών (increased process scaling), καθώς ελευθερώνει χώρο για ανάπτυξη τσιπ ανά wafer (chip-per-wafer growth).


Προσθήκη άρθρου σε: Freestuff | Del.icio.us | | | | ForaCamp (top)

Σχολιάστε αυτό το άρθρο:

Τα σχόλια ελέγχονται πρώτα από τους διαχειριστές του site και δεν εμφανίζονται άμεσα.
Όνομα:
Email:
Webpage:
Σχόλιο:
Don't enter anything into this field:
© 2002 - 2009, Pramnos Hosting
Powered by PramnosCMS
W3C Valid XHTML - W3C Valid CSS
Όροι χρήσης . Χρήστες . Επικοινωνία . Sitemap . Σχετικά . Top